用于扫描电子显微镜（SEM）放大倍率校准和图像畸变检查的线宽、刻度及格珊类标样。
不同标样具有已知的线宽、周期、刻度或格珊密度，可根据图像中的实际尺寸或周期数量，对 SEM的倍率进行校准，并用于检查成像比例是否准确。
产品类型
本系列包括低倍率校准标样、硅基周期结构标样、微型刻度尺以及格珊复制品等。
其中部分标样具有不同尺寸的周期结构，可以覆盖不同 SEM 放大倍率范围；部分产品还可将样品直接安装在校准标样表面，从而在同一图像中进行内部尺寸校准。
| 主要用途 | SEM 放大倍率校准、图像畸变检查、样品台校准、低倍率尺寸校准 |
| 校准结构 | 已知线宽、周期结构、刻度、格珊及铜网 |
| 适用设备 | SEM；部分硅基标样还可用于 Auger、SIMS、FIB 及反射光显微镜 |
Pelcotec™ LMS-20 低倍率校准标样
产品编号：688-1 / 688-11
Pelcotec™ LMS-20 专门用于精确的低倍率校准和样品台校准，适用于大面积颗粒分析、射击残留物（GSR）分析、低倍率 SEM 应用以及反射光显微镜观察。适用放大倍率范围为5×–1000×。
| 校准区域 | 20 × 10 mm |
| 表面结构 | 交叉线及 0.01 mm 分度 |
| 线条 | 75 nm Cr 线，形成于超平整硅基底上 |
| 定位结构 | 每隔 0.1 mm 设置交叉定位线，0.5 mm 和 1 mm 位置设置较大的交叉标记 |
| 硅片尺寸 | 22 × 11 mm，厚度 675 µm ± 10 µm |
| 晶向 | <100> |
| 硅片类型 | 硼掺杂硅，电阻率 5–10 Ω·cm |
| 安装方式 | 可提供未安装版本，也可安装在 SEM 样品座上 |
LMS-20T 与 LMS-20C
LMS-20T 为 NIST 可溯源版本，提供批次级证书；LMS-20C 为单件独立认证版本，每件产品附独立证书。
Pelcotec™ G-1 硅基线宽校准标样
产品编号：633-1 / 633-11
Pelcotec™ G-1 是一种具有 1 µm、10 µm 和 100 µm 周期结构的硅基校准标样，可用于放大倍率校准和图像畸变检查。适用放大倍率范围为 100×–10,000×。
除 SEM 外，还可用于 Auger、SIMS、FIB 及反射光显微镜。
| 校准区域 | 3 × 3 mm |
| 周期 | 1 µm、10 µm、100 µm |
| 刻线深度 | 300 nm ± 30 nm |
| 线宽 | 1 µm 周期线约 200 nm；10 µm 周期线约 300 nm；100 µm 周期线约 400 nm |
| 周期精度 | 1 µm ± 0.025 µm |
| 垂直度 | 优于 0.01° |
| 硅片尺寸 | 4 × 4 mm，厚度 525 µm ± 20 µm |
| 晶向 | <100> |
| 硅片类型 | 硼掺杂硅，电阻率 5–10 Ω·cm |
G-1 的 10 µm 和 100 µm 周期线宽更大，便于图像中的方向定位。对于粉末样品，还可以将样品直接安装在 G-1 表面，从而在同一图像中获得内部尺寸校准。
G-1T 为 NIST 可溯源版本；G-1C 为单件独立认证版本。
Planotec 10 µm 周期硅校准标样
产品编号：615
Planotec 硅校准标样用于 SEM 和反射光显微镜的放大倍率校准及图像畸变检查。
标样采用单晶硅基底，表面形成规则的 10 µm（0.01 mm）周期方格。
| 基底尺寸 | 5 × 5 mm |
| 周期 | 10 µm（0.01 mm） |
| 分割线宽度 | 约 1.9 µm |
| 加工方式 | 电子束光刻 |
| 定位线 | 每隔 500 µm 设置较宽的标记线 |
| 刻线深度 | 约 300 nm |
| 厚度 | 675 µm |
| 晶向 | <100> |
| 硅片类型 | P 型、硼掺杂硅 |
| 电阻率 | 1–30 Ω·cm |
多种样品可以直接安装在 Planotec 标样表面，使校准结构与待测样品同时出现在图像中，用于内部尺寸校准。可提供带校准证书的版本；原厂页面注明其基础参考标样由英国国家物理实验室（NPL）通过激光干涉法进行校准，保证精度为 1%。
低倍率校准刻度尺
产品编号：630
630 为用于 SEM 低倍率校准的微型刻度尺，刻度尺安装在直径约 3.2 mm镀镍铜圆片上。
| 刻度长度 | 1 mm |
| 刻度数量 | 100 个 |
| 最小分度 | 0.01 mm |
| 精度 | ±0.0005 mm 或更高 |
| 基底 | 镀镍铜圆片 |
| 安装方式 | 未安装或安装于 SEM 样品座 |
500 nm SEM 十字线格珊复制品
产品编号：674
674 是一种 500 nm 周期的 SEM 十字线格珊复制品。
复制膜采用碳膜 waffle pattern 结构，并进行 Au/Pd 阴影镀层处理。
其沟槽结构边界清晰，可根据图像中的周期数量确定 500 nm 周期，即 2000 lines/mm。
| 格珊类型 | 十字线格珊复制品（Waffle Pattern） |
| 周期 | 500 nm |
| 格珊密度 | 2000 lines/mm |
| 复制膜 | 碳复制膜，Au/Pd 阴影镀层 |
| 载体 | 400 目铜网，直径 3 mm |
2160 lines/mm 格珊复制品
产品编号：604
604 为交叉线结构的碳格珊复制品，经过 Au/Pd 阴影镀层处理，格珊密度为 2160 lines/mm。复制膜安装在直径 3 mm 的400 目铜网上，可提供未安装版本或 SEM 样品座安装版本。
| 格珊类型 | Waffle / 交叉线碳复制膜 |
| 格珊密度 | 2160 lines/mm |
| 载体 | 400 目铜网，直径 3 mm |
| 安装方式 | 未安装或安装于 SEM 样品座 |
折叠式精细铜网
产品编号：631-A
精细铜网用于扫描电子显微镜的低倍率校准。
精细铜网安装在100 目的折叠铜网中。
| 网格规格 | 1000 目 |
| 周期 | 25.4 µm |
| 外部折叠网格 | 3 mm，100 目 |
| 用途 | SEM 低倍率校准 |
产品选择参考
| 产品 | 主要校准结构 | 主要用途 |
|---|---|---|
| LMS-20 | 75 nm Cr 线、0.01 mm 分度 | 5×–1000×低倍率校准、样品台校准 |
| G-1 | 1 / 10 / 100 µm 周期 | 100×–10,000×倍率校准、图像畸变检查 |
| Planotec | 10 µm 周期方格 | SEM / 反射光显微镜倍率校准 |
| 630 | 1 mm 刻度、0.01 mm 分度 | 低倍率尺寸校准 |
| 674 | 500 nm 十字线格珊 | 500 nm 周期 / 2000 lines/mm 校准 |
| 604 | 2160 lines/mm 格珊 | 格珊周期倍率校准 |
| 631-A | 1000 目铜网，25.4 µm pitch | SEM 低倍率校准 |
