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SEM 放大倍率线宽与格珊标样

用于扫描电子显微镜(SEM)放大倍率校准和图像畸变检查的线宽、刻度及格珊类标样。
不同标样具有已知的线宽、周期、刻度或格珊密度,可根据图像中的实际尺寸或周期数量,对 SEM的倍率进行校准,并用于检查成像比例是否准确。

分类: ,    品牌: Ted Pella

用于扫描电子显微镜(SEM)放大倍率校准和图像畸变检查的线宽、刻度及格珊类标样。
不同标样具有已知的线宽、周期、刻度或格珊密度,可根据图像中的实际尺寸或周期数量,对 SEM 的倍率进行校准,并用于检查成像比例是否准确。

产品类型

本系列包括低倍率校准标样、硅基周期结构标样、微型刻度尺以及格珊复制品等。
其中部分标样具有不同尺寸的周期结构,可以覆盖不同 SEM 放大倍率范围;部分产品还可将样品直接安装在校准标样表面,从而在同一图像中进行内部尺寸校准。

主要用途 SEM 放大倍率校准、图像畸变检查、样品台校准、低倍率尺寸校准
校准结构 已知线宽、周期结构、刻度、格珊及铜网
适用设备 SEM;部分硅基标样还可用于 Auger、SIMS、FIB 及反射光显微镜

Pelcotec™ LMS-20 低倍率校准标样

产品编号:688-1 / 688-11

Pelcotec™ LMS-20 专门用于精确的低倍率校准和样品台校准,适用于大面积颗粒分析、枪击残留物(GSR)分析、低倍率 SEM 应用以及反射光显微镜观察。适用放大倍率范围为 5×–1000×。

LMS-20

校准区域 20 × 10 mm
表面结构 交叉线及 0.01 mm 分度
线条 75 nm Cr 线,形成于超平整硅基底上
定位结构 每隔 0.1 mm 设置交叉定位线,0.5 mm 和 1 mm 位置设置较大的交叉标记
硅片尺寸 22 × 11 mm,厚度 675 µm ± 10 µm
晶向 <100>
硅片类型 硼掺杂硅,电阻率 5–10 Ω·cm
安装方式 可提供未安装版本,也可安装在 SEM 样品座上

LMS-20T 与 LMS-20C

LMS-20T 为 NIST 可溯源版本,提供批次级证书;LMS-20C 为单件独立认证版本,每件产品附独立证书。

LMS-20T 证书说明,其精度通过与可溯源至 NIST 的工作标准进行参考比对确定。例如 1.0 mm、0.5 mm、0.1 mm 和 0.01 mm 等周期均给出了平均周期、1σ 标准偏差及 3σ 扩展不确定度。该信息可用于了解标样本身的计量依据,而不仅是产品结构参数。

Pelcotec™ G-1 硅基线宽校准标样

产品编号:633-1 / 633-11

633-1-SEM-new-web

Pelcotec™ G-1 是一种具有 1 µm、10 µm 和 100 µm 周期结构的硅基校准标样,可用于放大倍率校准和图像畸变检查。适用放大倍率范围为 100×–10,000×。
除 SEM 外,还可用于 Auger、SIMS、FIB 及反射光显微镜。

校准区域 3 × 3 mm
周期 1 µm、10 µm、100 µm
刻线深度 300 nm ± 30 nm
线宽 1 µm 周期线约 200 nm;10 µm 周期线约 300 nm;100 µm 周期线约 400 nm
周期精度 1 µm ± 0.025 µm
垂直度 优于 0.01°
硅片尺寸 4 × 4 mm,厚度 525 µm ± 20 µm
晶向 <100>
硅片类型 硼掺杂硅,电阻率 5–10 Ω·cm

G-1 的 10 µm 和 100 µm 周期线宽更大,便于图像中的方向定位。对于粉末样品,还可以将样品直接安装在 G-1 表面,从而在同一图像中获得内部尺寸校准。

G-1T 为 NIST 可溯源版本;G-1C 为单件独立认证版本。

Planotec 10 µm 周期硅校准标样

产品编号:615

Planotec 硅校准标样用于 SEM 和反射光显微镜的放大倍率校准及图像畸变检查。
标样采用单晶硅基底,表面形成规则的 10 µm(0.01 mm)周期方格。

615

基底尺寸 5 × 5 mm
周期 10 µm(0.01 mm)
分割线宽度 约 1.9 µm
加工方式 电子束光刻
定位线 每隔 500 µm 设置较宽的标记线
刻线深度 约 300 nm
厚度 675 µm
晶向 <100>
硅片类型 P 型、硼掺杂硅
电阻率 1–30 Ω·cm

周期测量数据

标样的周期(pitch)是校准时的关键参数,而蚀刻线宽会存在变化,因此不能简单地用线宽代替周期作为倍率校准依据。

测量项目
13 次周期测量平均值 9980.9 nm
周期测量范围 Δ 20.8 nm
周期测量 3Σ 16.3 nm
13 次线宽测量平均值 1975.4 nm
线宽测量范围 Δ 16.5 nm
线宽测量 3Σ 12.7 nm

结构重复长度保证精度为 1%,但蚀刻线宽不属于该保证范围。由于刻线具有斜坡结构,进行周期测量时应特别关注测量位置。

多种样品可以直接安装在 Planotec 标样表面,使校准结构与待测样品同时出现在图像中,用于内部尺寸校准。可提供带校准证书的版本;原厂页面注明其基础参考标样由英国国家物理实验室(NPL)通过激光干涉法进行校准,保证精度为 1%。

低倍率校准刻度尺

产品编号:630

630

630 为用于 SEM 低倍率校准的微型刻度尺,刻度尺安装在直径约 3.2 mm 镀镍铜圆片上。

刻度长度 1 mm
刻度数量 100 个
最小分度 0.01 mm
精度 ±0.0005 mm 或更高
基底 镀镍铜圆片
安装方式 未安装或安装于 SEM 样品座

计量依据

630 的原始刻度的计量来源。该刻度由原始 15 mm 玻璃圆片母版复制到 1/8 英寸镀镍铜圆片上。原始刻度的选定区间使用测量显微镜进行测量,显微镜位移通过氦氖激光干涉仪测定,激光波长则以国际 Krypton-86 标准为参考。

标尺区间 技术文档测量长度(20°C)
0–10 分度 0.0998 mm
0–20 分度 0.1997 mm
0–30 分度 0.2997 mm
0–40 分度 0.3998 mm
0–50 分度 0.4997 mm
0–60 分度 0.5996 mm
0–70 分度 0.6995 mm
0–80 分度 0.7994 mm
0–90 分度 0.8994 mm
0–100 分度 0.9994 mm

各长度区间测量不确定度估计为小于 ±0.0005 mm。相关测量由英国 Teddington 的英国国家物理实验室(NPL)完成,引用测试编号为 08075 S/ML62-199。

500 nm SEM 十字线格珊复制品

产品编号:674

674 是一种 500 nm 周期的 SEM 十字线格珊复制品。
复制膜采用碳膜 waffle pattern 结构,并进行 Au/Pd 阴影镀层处理。
其沟槽结构边界清晰,可根据图像中的周期数量确定 500 nm 周期,即 2000 lines/mm。

674

格珊类型 十字线格珊复制品(Waffle Pattern)
周期 500 nm ± 1%
格珊密度 2000 lines/mm
复制膜 碳复制膜,Au/Pd 阴影镀层
载体 400 目铜网,直径 3 mm

倍率计算方法

500 nm 周期结构通常需要成像系统达到约 2000× 才能清晰显示该结构。进行倍率校准时,应尽可能测量较多方格的总距离,以降低单个周期测量误差的影响。

倍率计算公式:

Magnification = A × 2,000 / B

其中:

  • A:图像中首尾限定线之间的距离,单位为 mm;
  • B:首尾限定线之间包含的周期数。

标样保存

Technical Note 建议不用时将复制品置于干燥、无尘容器中。复制膜表面容易因接触而损伤,不应直接触摸,也不建议尝试清洗。如表面存在灰尘,可使用连接玻璃移液管的橡胶球,以柔和气流吹除。

2160 lines/mm 格珊复制品

产品编号:604

604

604 为交叉线结构的碳格珊复制品,经过 Au/Pd 阴影镀层处理,格珊密度为 2160 lines/mm。复制膜安装在直径 3 mm 的 400 目铜网上,可提供未安装版本或 SEM 样品座安装版本。

格珊类型 Waffle / 交叉线碳复制膜
格珊密度 2160 lines/mm
线距 约 463 nm(0.463 µm)
载体 400 目铜网,直径 3 mm
安装方式 未安装或安装于 SEM 样品座

倍率计算方法

该标样为 2160 lines/mm 的交叉线衍射格珊复制品,对应线距约 463 nm。当成像系统达到约 2500× 时,该结构才开始能够被清晰观察;在这一倍率附近,图像中的格珊线间距约为 1 mm。

倍率计算公式:

Magnification = A × 2,160 / B

其中:

  • A:图像中首尾限定线之间的距离,单位为 mm;
  • B:首尾限定线之间包含的周期数。

实际校准时,应尽可能测量较多的方格,使 A 覆盖尽可能大的距离,再结合 B 计算 SEM 实际倍率。

标样保存

建议不用时将复制品放置于干燥、无尘容器中。复制膜表面容易因触碰而损坏,因此不要直接接触或尝试清洗。灰尘可使用连接玻璃移液管的橡胶球,以柔和气流吹除。

1000目铜网

产品编号:631-A

631-A

铜网用于扫描电子显微镜的低倍率校准。
1000目铜网安装在 100 目的折叠铜网中。

网格规格 1000 目
周期 25.4 µm
外部折叠网格 3 mm,100 目
用途 SEM 低倍率校准

产品选择参考

产品 主要校准结构 主要用途
LMS-20 75 nm Cr 线、0.01 mm 分度 5×–1000×低倍率校准、样品台校准
G-1 1 / 10 / 100 µm 周期 100×–10,000×倍率校准、图像畸变检查
Planotec 10 µm 周期方格 SEM / 反射光显微镜倍率校准
630 1 mm 刻度、0.01 mm 分度 低倍率尺寸校准
674 500 nm 十字线格珊 500 nm 周期 / 2000 lines/mm 校准
604 463 nm 线距、2160 lines/mm 格珊 约 2500×以上的格珊周期倍率校准
631-A 1000 目铜网,25.4 µm pitch SEM 低倍率校准
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