作者：孙千 本文转载自公众号：老千和他的朋友们。原文地址：https://mp.weixin.qq.com/s/Z6QeHlmVP034dpckYm7kDg
在纳米科技领域，SEM 是低维纳米材料研发核心表征工具，但传统 LV-SEM 面对核壳、异质结等精细结构有一定局限，超低电压SEM（VLV-SEM）恰好填补空白。
Laura Zarraoa 等人以Verios 460 SEM 为核心，探索 < 1kV 超低电压下低维纳米结构成像规律，以 VLS 法生长的 Si NWs 为模型，解决了传统 LV-SEM（1-5kV）电子束穿深、细节模糊、信号混淆的问题，还首次观测到 Si NW 尖端自发形成 Au-SiO₂核壳结构——该发现依赖 VLV-SEM 独特的超浅层成像与深度可调材料成分衬度能力，印证其在低维纳米结构精细表征中的重要性。
SEM技术发展：从高电压到超低电压
SEM 的发展历程，可以认为是 “不断降低入射电子能量、同时保持高分辨率” 的技术突破史。
60多年前，SEM领域先驱已发现降低电子束入射能量可减少样品损伤、缩小作用体积，从而提升表面细节成像能力。但受早期电子光学系统限制，科研人员长期依赖 > 5 kV 的高加速电压，此时电子束穿透深度达数百纳米，完全无法满足低维纳米结构的观测需求。
上世纪末，电子光学设计进步推动 LV-SEM 成熟，电压降至 1–5 kV ，不仅能减少绝缘样品充电效应、还能实现亚纳米分辨率，因此，迅速成为纳米材料表征主流工具。但对低维纳米结构仍有缺陷：2 keV 时电子束穿透深度与结构尺寸相当，导致成像信号混入大量长程 BSE 激发的 SE2，既模糊细节，又叠加形貌与材料成分信号，干扰判断。
近十年来，VLV-SEM突破技术壁垒，将入射电压降至 1 kV 以下。0.5 keV 时硅的 BSE 逃逸深度 < 2 nm，电子束作用体积被压缩至表面极浅区域，从根源解决 SE2 干扰；配合专用检测器，还实现形貌与材料成分信号的有效分离，为低维纳米结构精细观测开辟新的路径。
传统 LV-SEM 的痛点：电子束 “穿太深”
要理解 VLV-SEM 的优势，首先需要明确传统 LV-SEM 在低维纳米结构观测中的具体局限，这些局限的根源，都指向 “电子束穿透深度与纳米结构尺寸不匹配”。
根据Monte Carlo 模拟结果（图 1a），当电子束能量高于 2 keV 时，对于硅（原子序数 Z=14）和金（Z=79）这类常见纳米材料，电子束的穿透深度可达数十至数百纳米。这意味着，电子束会直接穿透整个纳米结构的横截面，引发两个关键问题：
第一，图像分辨率下降。电子束穿透越深，与样品的作用体积越大，背散射电子（BSE）的运动轨迹就越长。这些长程 BSE 会在远离入射点的区域激发二次电子（即 SE2），而 SE2 会与 “入射点附近产生的二次电子（SE1）” 混合，导致成像信号的空间分辨率大幅降低 —— 原本应该清晰的 “纳米线侧壁小面”“尖端微小凸起” 等细节，会被 SE2 的 “本底信号” 掩盖，图像像蒙了一层雾（图 1d）。
第二，形貌与成分信号混淆。在 LV-SEM 中，科研人员通常通过二次电子（SE）成像获取形貌信息，但 SE 的发射产额会间接受到 BSE 的影响 —— 而 BSE 的产额与材料的原子序数 Z 直接相关（重元素如金的 BSE 产额是轻元素如硅的 3 倍以上）。当电子束穿太深时，BSE 会从样品内部的 “异质区域”（如硅纳米线尖端的金颗粒）激发 SE2，导致 “材料成分差异” 被误判为 “表面形貌差异”。在传统 LV-SEM下，硅纳米线尖端的金颗粒会因 BSE 产额高而显得更亮，科研人员无法分辨这种亮度是来自 “金颗粒本身的凸起”，还是 “金材料的高 BSE 产额”。
而 VLV-SEM 的核心突破，就是通过 “降低电压缩小作用体积” 和 “优化检测器分离信号”，从根本上解决了这两个问题。
图 1 | VLV-SEM技术原理的核心示意图，从 “穿透深度”“作用体积”“信号分布” 三维度，直观展示电子束能量对成像的影响：a（穿透深度与逃逸深度量化关系）：超低电压下，电子束仅作用于样品表面极浅层（<2nm），不穿透低维纳米结构横截面。b、c（作用体积对比）： b（>2keV 高能量）：电子束 “锥形” 穿透纳米线横截面，作用体积大，BSE 轨迹长，激发长程 SE2； c（<0.5keV 低能量）：作用体积缩为 “半球形”，仅局限于入射点附近，无长程 SE2。d、e（二次电子发射空间分布）： d（高能量）：SE 信号分散，远离入射点仍有 SE2；e（低能量）：SE 信号集中于入射点（SE1）。这解释了 VLV-SEM 可以保持高空间分辨率的原因 —— 信号仅来自目标观测点，无额外干扰。
VLV-SEM 的技术核心
Verios 460 SEM 能实现超低电压下的高分辨率成像，关键依赖两大技术设计：“样品台减速（BD）技术” 和 “专用多检测器系统”。
样品台减速（BD）技术：让电子束 “软着陆”
减速技术的原理很直观：在样品台施加负偏压，当电子束从 SEM 的电子柱中加速射出后（加速电压通常设为 2 kV），会受到样品台负偏压的 “排斥力”，从而在到达样品表面前减速——最终的“有效入射能量”（即电子束到达样品时的实际能量）= 加速电压–束减速电压。
本研究中，Laura Zarraoa等人将加速电压设为 2 kV，束减速电压设为 1.5 kV，最终有效入射能量为 0.5 keV—— 这个能量恰好处于超低电压范围，且能同时实现三个关键优势：
第一，提升空间分辨率。样品台的负偏压会形成一个虚拟的 “静电透镜”，这个透镜能进一步缩小电子束的直径（电子束直径与分辨率直接相关）。根据文献报道，该减速技术可将电子束直径缩小至亚纳米级别，即使在0.5 keV的低能量下，仍能保持极高的分辨率。
第二，保证电子柱性能。若直接降低加速电压（而非通过样品台减速），电子柱中的电磁透镜可能因电子能量过低而无法有效聚焦，导致分辨率下降。样品台减速技术则避免了这一问题——加速电压仍保持在2 kV（电磁透镜的最佳工作电压），仅在电子束到达样品前减速，兼顾了 “高加速电压的聚焦性能” 和 “低入射能量的浅层作用”。
第三，优化电子收集效率。负偏压形成的电场会对样品发射的 SE 和 BSE 产生 “导向作用”：它能将SE和BSE向电子柱方向偏转，提升检测器对这些电子的捕获率；同时，还能根据电子的能量和角度，将不同类型的电子（如低角 BSE、高角 BSE）分配到不同的检测器中，实现信号的有效分离。
图中提到的背散射角度以轴向为0度，高角度BSE也就是口头表达中的低角度BSE
多检测器系统：给不同信号 “分通道”
Verios 460 SEM 配备了三个专用检测器，分别负责 “形貌信号”“成分信号”“纯形貌信号” 的采集，三者分工明确，协同实现 VLV-SEM 的核心功能：
TLD 检测器（Through the Lens Detector）：安装在电子柱底部的电磁透镜末段，位于物镜内部。它的核心作用是采集二次电子（SE）和中角 BSE，主要用于常规低电压（2–5 kV）下的形貌成像。为提升 SE 的收集效率，TLD 的设计有两个细节：一是在物镜极靴末端设置 “吸气管电极”（接+ 70 V 电压），通过静电吸引力将 SE 吸入极靴内部；二是在极靴上端设置 “镜电极”（接– 15 V 电压），将向上运动的 SE 反射到 TLD 的探测面。但需要注意的是，TLD 采集的中角 BSE 仍受材料 Z 值影响，因此在 LV 条件下，其成像信号仍存在 “形貌与材料混淆” 的问题。
MD 检测器（Mirror Detector）：安装在电子柱内、物镜的正上方。它的位置决定了其仅能采集 “低角BSE”—— 这类 BSE 能量高、运动轨迹平直，不会被 TLD 的镜电极偏转，能直接到达 MD 的探测面。低角 BSE 的核心特点是 “逃逸深度深”（随入射能量变化，0.5 keV 时约 0.8–2 nm，5 keV 时约 10–60 nm），且其产额与材料 Z 值强相关（金的 BSE 产额是硅的 3 倍）。因此，MD 检测器主要用于 “成分对比度”，通过改变入射能量，可实现 “深度可调的材料成分分析”—— 这对核壳结构的观测至关重要。
CBS 检测器（Concentric Backscattered Electrons Detector）：这是 VLV-SEM 实现 “纯形貌成像” 的关键，它是一个可伸缩的环形检测器，安装在样品室中、物镜极靴的正下方。CBS 仅采集 “高角 BSE”—— 这类 BSE 在束减速电场的作用下，运动轨迹被约束在电子柱周围，会直接撞击 CBS 的同心检测环。
高角 BSE 的优势有两个：一是 “逃逸深度极浅”（0.5 keV 时，硅的 BSE 逃逸深度 < 2 nm），仅反映样品表面最浅层的形貌；二是 “产额与 Z 值无关”—— 高角散射时，材料的原子序数差异对 BSE 产额的影响被大幅削弱，硅和金的高角BSE产额几乎一致。因此，CBS 能提供 “无材料干扰的纯形貌信号”，是观测低维纳米结构表层细节（如纳米线侧壁小面、尖端凸起）的最佳选择。
实验方法：VLV-SEM 的具体操作与参数设置
样品制备：为 SEM 成像提供标准模型。Laura Zarraoa 等人采用 VLS 法生长硅纳米线（Si NWs），严控尺寸与形貌均一性，具体流程如下：
基底预处理：以硅（111）单晶片为基底，经三步清洗：①丙酮、异丙醇、去离子水超声各 10min 除有机污染物；②5% 氢氟酸（HF）浸泡 10s 去表面氧化层（SiO₂）；③0.1% 聚– L –赖氨酸溶液浸泡 10min，增强后续金纳米颗粒附着力。
催化剂沉积：用 150nm 胶体金颗粒（Sigma-Aldrich）作 VLS 生长催化剂，将预处理基底浸金颗粒悬浮液 5min，氮气吹干，确保颗粒均匀分布（作为 “生长种子” 引导硅定向生长）。
纳米线生长：采用 Nanoinnova CVDCube 常压化学气相沉积（AP-CVD）系统，参数为：①温度 825℃；②前驱体液态四氯化硅（SiCl₄），以 55sccm 氩气（Ar）载气通入（SiCl₄储液瓶 0℃控挥发速率）；③还原气 10% 氢气（H₂）+90% Ar，流量 135sccm；④生长 15min。后经纯 Ar 吹扫 5min 除残留 SiCl₄，高温下暴露空气（为硅纳米线尖端形成 Au-SiO₂核壳结构关键）。
样品特征：硅纳米线长约 10μm、基部直径 300nm、尖端直径 150nm（低维典型尺寸），且尖端金颗粒位置明确，适配 SEM 成像。
VLV-SEM 成像参数：精准控制才能获得高质量信号
本研究中， Verios 460 SEM 的成像参数分为 “低电压（LV）模式” 和 “甚低电压（VLV）模式”，两种模式的参数设置和应用场景不同。
需要特别说明的是：
工作距离：固定为 2.5 mm，这是Verios 460 SEM 物镜的最佳工作距离，能在分辨率和电子收集效率之间取得平衡。
束电流与驻留时间：束电流设为 0.1 nA，既能保证足够的信号强度，又能避免电子束对样品的损伤；驻留时间设为 10 μs，配合8线积分模式，可减少图像噪声，提升对比度。
材料成像的电压范围：为实现“深度可调”，MD 检测器成像时的有效入射能量从 0.5 keV 覆盖至 5 keV，且未使用束减速技术（直接调整加速电压）——这样能确保入射能量与 BSE 逃逸深度的线性关系，便于后续量化分析。
验证 SEM 成像结果的可靠性
为确认 VLV-SEM 观测的 “核壳结构” 可靠性，Laura Zarraoa 等人通过 EDX（成分维度）和 Monte Carlo 模拟（理论维度）验证结果：
EDX 分析：参数为加速电压 5kV、束电流 0.4nA、驻留时间 10ms、分辨率 256×192 像素；借 “元素映射” 观 Au、Si、O 在纳米线尖端的分布，用 “点光谱” 采集纳米线本体、尖端侧面、尖端中心的元素信号，确认核壳结构成分。
Monte Carlo 模拟：用免费软件 CASINO V2.51 模拟电子轨迹，分两组：①纯材料模拟：算不同能量下电子在纯硅、纯金中的穿透深度与 BSE 逃逸深度，对比文献 SE 逃逸深度，验证 VLV 下电子束浅层作用特性；②核壳结构模拟：将纳米线本体建模为 “硅基底 + 2nm 自然氧化硅层”，尖端建模为 “金基底 + 0–20nm 氧化硅层”（模拟不同壳厚），算不同电压下 BSE 产额变化，解释 SEM “对比度反转” 现象。每次模拟用 5000–500,000 个电子，重复 10 次确保统计显著性。
VLV-SEM 如何揭示低维纳米结构的精细特征？
通过 VLV-SEM 的多模式成像，Laura Zarraoa等人不仅解决了传统 SEM 的成像问题，还首次发现了硅纳米线尖端的 Au-SiO₂核壳结构。以下结合具体图像，详细分析 VLV-SEM 的成像优势与核壳结构的观测过程。
图 2 |不同成像条件下硅纳米线尖端的形貌对比
图 2 展示三组硅纳米线尖端在不同 SEM 模式下的成像结果，每行对应一种成像条件、每列对应一种尖端形态，核心凸显 “VLV+CBS” 模式的纯形貌成像价值：
1. 第一行：LV 模式（2 kV，TLD 检测器 SE 成像）
传统低电压 SEM 典型效果：三根纳米线尖端均比本体亮（图 2a、b、c），但无法区分尖端具体形态（是凸起金颗粒还是平坦表面）。原因是 2 keV 下电子束穿透深，BSE 从尖端金颗粒激发大量 SE2，虽让尖端变亮，却掩盖形貌细节（如圖 2c “完全突出型” 尖端的凸起，仅表现为亮度增强，无法判断是形貌还是成分衬度导致）。
2. 第二行：VLV 模式（0.5 kV，TLD 检测器中角 BSE 成像）
甚低能量下优势显现：图像清晰度显著提升，纳米线侧壁 “小面结构”（表面微小平面）开始显现（图 2d、e、f），SE2 干扰大幅减少；同时出现关键现象 —— 尖端对比度从 “亮” 变为 “暗”（与第一行对比）。但需注意，图像仍有轻微成分干扰，尖端与本体的对比度差异部分来自成分，非纯形貌。
3. 第三行：VLV+CBS 模式（0.5 kV，CBS 检测器高角 BSE 成像）
纯形貌成像 “黄金组合”：尖端与本体的对比度差异完全消失，仅保留形貌特征（图 2g、h、i），三种尖端形态清晰区分：
非突出型（图 2g）：尖端与本体平滑过渡，无明显凸起（金核被极薄二氧化硅壳包裹）；部分突出型（图 2h）：尖端有明显局部凸起、边缘清晰（金核部分从本体 “挤出”）；完全突出型（图 2i）：尖端完全脱离本体，形成独立 “凸起球”（金核被较厚二氧化硅壳包裹，壳层与本体结合力弱）。
仅 “VLV+CBS” 模式能排除材料成分干扰，还原低维纳米结构的真实形貌，这是传统 LV-SEM 完全无法实现的。
图 3深度可调成分衬度成像如何证明核壳结构？
确认硅纳米线尖端为 “核壳结构” 需成分衬度成像，图 3 是不同电压下 MD 检测器（低角 BSE）的成分对比度图，通过 “电压调控探测深度” 揭示分层特征。其布局为：每行对应一种尖端形态，首列为 CBS 纯形貌参考图（定位尖端），其余列对应 0.5 keV、0.7 keV、1.0 keV、2.0 keV、5.0 keV 电压下的成分图，关键结果如下：
1. 非突出型尖端（第一行）
5.0 keV（图 3f）：尖端亮，因 BSE 逃逸深度约 10 nm（金），穿透二氧化硅壳探测到金核（金 BSE 产额高）；2.0 keV（图 3e）：尖端略暗但仍亮于本体，BSE 部分穿透壳层；1.0 keV（图 3d）：尖端与本体对比度大幅减弱；0.5 keV（图 3b）：无对比度差异，BSE 逃逸深度仅 0.8 nm（金），无法穿透壳层，仅探测表层氧化硅（与本体材料一致）。
结论：非突出型尖端二氧化硅壳极薄（<3 nm），高电压才可穿透至金核。
2. 部分突出型尖端（第二行）
5.0 keV（图 3l）、2.0 keV（图 3k）：尖端亮，BSE 穿透壳层探金核；1.0 keV（图 3j）：尖端变暗（比本体暗），出现 “对比度反转”（1.0 keV 为探测深度临界点）；0.5 keV（图 3h）：尖端保持暗态，与本体无明显差异。
结论：该尖端二氧化硅壳厚约 7–20 nm，>1.0 keV 可穿透，<1.0 keV 仅探表层氧化硅。
3. 完全突出型尖端（第三行）
5.0 keV（图 3r）：尖端亮且不均（金核分布不规则）；2.0 keV（图 3q）：尖端变暗，对比度反转电压高于部分突出型；0.5 keV（图 3n）：尖端更暗（壳最厚，BSE 完全无法穿透，仅探厚氧化硅层）。
结论：完全突出型尖端二氧化硅壳最厚（>20 nm），需更高电压才能穿透至金核。
VLV-SEM 借 “电压调控深度” 实现核壳结构 “分层探测”，此为其独有能力；传统 LV-SEM 仅固定电压成像，无法验证结构分层性，故无法发现这类核壳结构。
图 4 | EDX 元素分析如何直接验证核壳成分？
SEM 材料成像可间接证明核壳结构，而 EDX 通过元素空间分布提供 “直接证据”，图 4 从 “形貌参考”“元素映射”“点光谱” 三维度验证该结构：
1. 图 4a（形貌参考图）
采用 TLD 检测器 SE 成像，标记 3 个关键分析点（判断核壳结构的核心）：1（纳米线本体）、2（尖端侧面）、3（尖端中心）。
2. 元素映射（直观展示成分分布）
图 4b（金元素映射）：红色代表金信号强度，金仅在尖端中心区域富集，形成 “圆形亮斑”—— 直接证明金为 “核”，位于尖端内部。图 4c（氧元素映射）：绿色代表氧信号强度，氧在尖端外围区域富集，形成 “环形亮区”，恰好包裹中心金核 —— 证明氧是 “壳” 的成分，与硅结合成二氧化硅包裹金核。
3. 图 4d（点光谱定量分析）
横坐标为 X 射线能量（0.5–2.5 keV），纵坐标为信号计数率（反映元素含量），三点光谱差异显著：
点 1（本体）：仅强硅峰（~1.7 keV）、弱氧峰（~0.5 keV），无金峰 —— 本体为硅，表面仅极薄自然氧化层；点 2（尖端侧面）：强硅峰、强氧峰，金峰极弱 —— 侧面是二氧化硅壳，含微量金（核轻微扩散）；点 3（尖端中心）：强金峰（~2.1 keV）、中氧峰、弱硅峰 —— 中心为金核，氧峰来自外层壳叠加，硅含量极低。
EDX 结果与 VLV-SEM 材料成像完全一致，从 “成分” 维度证实 “金核 – 二氧化硅壳” 结构，同时证明 VLV-SEM 的材料成像信号可靠，非仪器误差所致。
图 5 | Monte Carlo 模拟如何量化核壳结构参数？
SEM 与 EDX 可定性证明核壳结构，而 Monte Carlo 模拟通过计算 BSE 产额与电压、壳厚的关系，建立 “壳厚–电压” 校准曲线，实现壳厚精准估算。图 5 结果分 “BSE 产额”“对比度”“壳厚校准” 三部分：
1. 图 5a（BSE 产额随电压变化）
曲线对比不同壳厚（0 nm、3 nm、5 nm、10 nm、20 nm）尖端与硅本体的 BSE 产额，关键规律：高电压（>5 keV）：所有壳厚尖端 BSE 产额均为本体 3 倍左右（同纯金尖端），电子束穿透二氧化硅壳，产额由金核主导，与壳厚无关；电压降低：壳越厚，尖端 BSE 产额下降越快（如 20 nm 壳厚在 2 keV 产额低于本体，3 nm 壳厚需 1 keV 以下才低于本体）；低电压（<0.3 keV）：所有壳厚尖端与本体 BSE 产额趋同，电子束仅作用于表层氧化硅，材料一致。
2. 图 5b（尖端–本体对比度随电压变化）
曲线显示：所有壳厚尖端均有 “对比度反转区间”（C 由正变负），且壳越厚，反转区间电压越高、范围越宽（20 nm 壳厚反转区间 1–3 keV，3 nm 壳厚 0.3–0.8 keV）；此规律与图 3 实验完全匹配：完全突出型（壳厚 > 20 nm）2 keV 反转，部分突出型（7–20 nm）1 keV 反转，非突出型（<3 nm）0.5 keV 以下反转（几乎不可见）。
3. 图 5c（壳厚与对比度反转电压关系）
横坐标为二氧化硅壳厚（0–20 nm），纵坐标为 “对比度反转电压”，曲线呈单调下降趋势，形成 “校准曲线”，可通过实验反转电压查壳厚：
非突出型：无明显反转，0.5 keV 对比度消失→壳厚 < 3 nm；部分突出型：1–2 keV 反转→壳厚 7–20 nm；完全突出型：2–5 keV 反转→壳厚 > 20 nm。
模拟价值：不仅实现 “壳厚量化”，更从理论验证 VLV-SEM 材料成像可靠性 —— 实验观测的 “对比度反转” 非偶然，是核壳结构与电子束相互作用的必然结果。
核壳结构的形成机制：VLV-SEM 揭示的 “意外发现”
本研究重要发现：硅纳米线尖端 Au-SiO₂核壳结构无需额外氧化步骤，可 “自发形成”，关键在于 “样品取出时的高温暴露”—— 纳米线生长结束后，于 825℃高温下直接打开反应室暴露空气，此时纳米线中硅原子扩散能力强，向尖端金颗粒扩散；同时空气中氧气与表面硅原子反应生成 SiO₂层，逐渐包裹金颗粒，最终形成核壳结构。
该过程此前未被发现，因传统技术存在局限：LV-SEM 无法观测几至几十纳米的浅层二氧化硅壳；TEM 虽能观测核壳结构，但样品制备复杂（需切片），且无法实现大面积快速筛查。
而 VLV-SEM 兼具 “高分辨率” 与 “快速成像” 优势，无需复杂样品制备即可直接观测到这种自发核壳结构，体现其在 “发现新现象” 中的独特价值。
VLV-SEM 的低维纳米结构表征
本研究以 Verios 460 SEM 为核心设备，系统验证 VLV-SEM 的技术优势，核心结论如下：
- 解决传统 SEM 核心痛点：通过 “束减速技术” 将有效入射能量降至 0.5 keV，电子束作用体积压缩至样品表面 < 2 nm 极浅层，彻底消除长程 SE2 干扰以提升分辨率；同时借 “CBS 检测器” 实现 “纯形貌成像”，以 “MD 检测器 + 可变电压” 实现 “深度可调材料成像”，根本解决 “形貌与材料信号混淆” 问题。
- 实现核壳结构 “定性 + 定量” 表征：以硅纳米线尖端 Au-SiO₂核壳结构为例，表征流程为：①CBS 成像确认尖端形态（非突出 / 部分突出 / 完全突出）；②MD 多电压成像观对比度反转以证分层结构；③EDX 定核（金）与壳（二氧化硅）成分；④Monte Carlo 模拟量化壳厚（<3 nm 至> 20 nm），该流程为低维核壳结构表征提供 “标准范式”。
- 应用广泛：除硅纳米线外，还可表征二维材料层间结构、纳米颗粒表面包覆层、异质结纳米线界面结构等；尤其对有机、生物等 “敏感材料”，低能量电子束能减少样品损伤且保高分辨率，此为传统高电压 SEM 所不能。
- 推动纳米科学发现：本研究发现的 “硅纳米线尖端自发核壳结构”，证明其能揭示传统技术不可观测的新现象；这类发现或推动硅纳米线在等离激元器件、催化、传感器等领域应用（如 VLV-SEM 精准表征壳厚，为金核等离激元特性调控提供关键参数）。
总之，VLV-SEM 非传统SEM的简单升级，而是 “范式重塑”—— 以 “超浅层成像” 和 “深度可调材料分析” 为核心，为低维纳米结构精细表征提供全新工具，也为纳米科技发展开辟新方向。
参考资料imaging low-dimensional nanostructures by very low voltage scanning electron microscopy: ultra-shallow topography and depth-tunable material contrast
