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208C高真空镀碳仪

Cressington 208C高真空镀碳仪为SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。系统结构紧凑,所占空间小。样品室直径150mm,可快速抽真空进行镀膜处理,处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。

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描述

Cressington 208C高真空镀碳仪为SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。系统结构紧凑,所占空间小。样品室直径150mm,可快速抽真空进行镀膜处理,处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。.组件设计方式可方便地对不同优化条件下的各种应用进行切换。

主要特性

  • 电压控制的碳棒具有多次蒸发能力
  • 反馈控制可以得到准确一致的镀膜厚度
  • 可选择操作方法优化镀膜过程
  • 繁忙条件下可进行自动蒸发控制
  • 低成本高分辨膜厚监测仪保证可重复的镀膜效果
  • 80L/s的分子涡轮泵可快速地使直径150mm的样品室达到镀膜要求的真空
  • 可配备无油涡旋式真空泵选件
  1. 可通过以下方式节约成本:无须水冷却系统
  2. 无须加热或冷却
  3. 无须液氮
  4. 制样周期短
  5. 节省空间

碳蒸发控制

  • 208C对碳棒-Bradley型碳蒸发源使用独特的完全集成的反馈控制设计。
  • 电流和电压通过磁控头的传感线监控,蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制。该蒸发装置使常规的碳棒具有优良的稳定性和重现性。功率消耗低,碳棒具有异常的重新蒸镀特性。
  • 蒸发源使用两步超纯碳棒。
  • 蒸发源可以手动“脉冲”或“连续”的方式进行镀膜。“脉冲”方式如果和MTM-10高分辨膜厚监测仪一起使用,可以准确得到所需要的膜厚。自动方式下的操作非常方便,操作者只要设定电压和时间,可以得到一致的镀膜效果。

208C 样品室

  • 样品室的组件设计方式可适应多种附件使用。
  • 通过简单调节工作距离,可方便地调节蒸发速率。
  • 独特的标准化高/低真空压力调节通过精密针阀完成。
  • 高真空用于最高质量地镀膜,如用于TEM制样。
  • 低真空用于TEM栅网的辉光放电清洁以及扫描电镜观察中形貌复杂样品的镀膜。
  • 对于SEM、EDS/WDS 和探针分析,旋转-行星转动-倾斜样品台可对同时多个样品进行一致的镀膜处理。
  • 旋转-倾斜台特别为TEM样品处理设计,而且可以放置25 x 75mm的玻片。

 

技术参数
样品室大小直径150mm 、高度 165mm – 250mm可调
蒸发源Bradley型 (6.15mm直径 rods) ,高强度不锈钢结构
蒸发控制基于微处理器的反馈回路控制,能够进行远程电流/电压感应,基于真空水平变量的安全互锁功能,最大电流180A,提供过流保护
样品台可安装12个扫描电镜样品座

高度在60mm范围内可调

旋转-行星转动-倾斜样品台(选件)

模拟计量真空, 双范围 Atm - 0.001mb ;1 x 10-3mb- 5 x 10-6 mb
电流, 0 – 200A
控制方法自动蒸发控制,使用程序设定的电压和时间,自动放气

以脉冲或连续方式进行完全手动控制

数字定时器(0-30s)

数字电压设置(0.1 to 5.5V)

真空系统
结构分子涡轮泵/旋片泵组合,无油涡旋式真空泵(选件)
抽真空速度80 L/s.
抽真空时间1.5 min至 1 x 10-4mb
极限真空5 x 10-6mb
桌上系统旋片泵可置于抗震台上,全金属真空耦合系统
系统要求
电源100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz
功率1200 VA max.

关于208C高真空镀碳仪